|
简介：
RTP(磷酸氧钛铷或磷酸钛氧铷，分子式为RbTiOPO4) 是KTP同族晶体，主要应用于非线性和电光方面。透过范围是350nm到4500nm。
RTP单晶最近采用顶部籽晶助熔剂法生长。现在本公司可批量提供该晶体及普克尔盒。
RTP是高重复使用率的电光Q开关的优选晶体。RTP电光Q开关是由两块RTP晶体配对温度补偿设计。RTP的不寻常特性包括高电阻、高损伤阈值（约为KTP的1.8倍），成为作为电光开关的杰出特性。文献报道的RTP Q开关重复频率为100 kHz，在高峰值功率时没有压电效应和光折变损伤。而且，它的半波电压比绝多数电光材料低。其特点为：
-
高重频电光应用的优秀晶体
-
无压电振铃效应
-
低插入损耗
-
热补偿设计
-
高损伤阈值
-
高消光比
-
不潮解
RTP的应用：
-
电光应用
-
光参量放大 (OPA)和振荡(OPO)
-
倍频掺钕激光（1064nm）
规格:
激光级RTP晶体尺寸：wxhxl mm，配对使用，光束沿Y 或 X 轴传播，Z面镀电极，光束偏振沿通光面对角线方向。 |
|
平面度 |
λ/8 @633nm （通光面） |
|
光洁度( MIL-O-13830A) |
20/10 或10/5 （通光面） |
|
透过波前畸变 |
好于λ/4 @633nm |
|
尺寸公差 |
w±0.1 x h ±0.1 x l ±0.1 mm
两块成对抛光, 光程差小于λ/6 @ 633nm |
|
最大长度(5x5mm) |
25mm |
|
通光孔径 |
大于90% |
平行度 |
< 20 〞 |
|
垂直度 |
5 ′ |
|
角度公差 |
< 1o |
|
晶体颜色 |
无色 |
|
电极 |
Z 面镀铬金膜调制电极 |
|
消光比 |
>20dB @633 nm (100:1) （1 mm 光束） |
|
镀膜 |
BBAR R< 0.25% @ 1064nm；
BBAR R<0.5% @532 nm |
推荐利用热补偿原理配对使用RTP晶体作为电光开关，RTP晶体电光Q开关装置示意图。
 
RTP器件（Cr/Au电极） RTP 原晶
 
I型pockels盒 V型pockels盒
相关技术
结构和物理特性
|
晶体结构 |
正交晶系 |
|
晶格常数 |
a = 12.96 A°, b = 10.56 A°, c = 6.49A° |
|
密度 |
3.6 g/cm3 |
|
熔点 |
~ 1000 °C |
|
居里温度 |
~810°C |
|
摩氏硬度 |
~5 |
|
热膨胀系数/°C |
a1=1.01x10-5, a2=1.37x10-5, a3=-4.17x10-6 |
|
潮解性 |
不潮解 |
|
介电常数 |
Eeff = 13.0 |
|
颜色 |
无色 |
|
离子电导率 |
10-8 S/cm(室温, 10kHz) |
光学特性
|
透过范围 |
350~4500 nm |
|
吸收系数 |
< 0.05 % / cm @ 1064 nm < 4 % /cm @ 532 nm |
|
非线形系数 |
d15 = 2.0 pm/V; d24 = 3.6 pm/V; d31 = 2.0 pm/V |
|
d32 = 3.6 pm/V; d33 = 8.3 pm/V |
|
deff for type II SHG @1064nm= 2.39 pm/V |
|
电光系数(pm/V) |
r13=10.6, r23=12.5; r33=35(x-cut); r33=38.5(y-cut) |
|
损伤阈值 |
10 ns 600 MW/cm2 @ 1064 nm |
|
消光比 |
20 dB @ 633 nm |
|
动态开关电压
(公司晶体实测值) |
900 V （2x2x8mm3一对，l/2@632.8nm， X向通光） |
|
1800 V （ 7x7x8mm3一对，l/4@1064nm，X向通光） |
|
2100 V （8x8x10mm3一对，l/4@1064nm，Y向通光） |
|
2100 V （8x8x12mm3一对，l/4@1064nm，Y向通光，1KHz） |
|
Sellmeier 方程 |
n2(λi) = A + B/(λi2-C) - Dλi2 |
|
A |
B |
C |
D |
|
nx |
2.15559 |
0.93307 |
0.20994 |
0.01452 |
|
ny |
2.38494 |
0.73603 |
0.23891 |
0.01583 |
|
nz |
2.27723 |
1.11030 |
0.23454 |
0.01995 |
公司的RTP晶体性能测试部分结果：
RTP晶体透过曲线
倍频相位匹配角
|
PM
angle |
Handbook of nonlinear optical crystal |
http://www.coretech.com.cn/RTP.htm |
Optical materials/Bright
Crystal Technology Inc. |
deff (pm/V) |
|
I |
(51.82º, 0º) |
(53.14º, 0º) |
(52.7º,0º) |
0 |
|
(39.67º, 90º) |
(41º, 90º) |
(41º, 90º ) |
0 |
|
II |
(69.54º, 90º) |
(77.09º, 90º) |
(76º, 90º) |
1.93 |
|
(90º, 44.95º) |
(90º, 59.75º) |
(90º, 57º ) |
2.58 |
RTP Sellmeier方程：
RTP热膨胀系数/°C:
RTP损伤阈值(GW/cm2):
|
波长 |
1064nm (10ns) |
532nm (10ns) |
532nm (35ps) |
|
RTP |
0.86 |
0.59 |
15 |
RTP 和 KTP非线性光学性能比较
|
晶体 |
PM 波长(nm) |
1064nm PM |
deff (pm/V) |
走离角(mrad) |
角度带宽 (mrad) |
光谱带宽 (cm-1) |
温度带宽(oC) |
|
RTP |
>760.5 (type I)
>1034 (type II) |
(90o, 57.0o) |
2.58 |
6.5 |
4.5 |
3.7 |
3.1 |
|
KTP |
>742.5 (type I)
>999 (type II) |
(90o, 23.6o) |
2.45 |
4.1 |
7.1 |
3.9 |
12.7 |
|
|
|
